Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 78

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

Рис. 4.48. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° основС ОУ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ для сброса.


Π’ схСмах Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ рСзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большим сопротивлСниСм. На рис. 4.49 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌ, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ большоС эффСктивноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи создаСтся Π·Π° счСт рСзисторов с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшими сопротивлСниями.



Рис. 4.49.


ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Π°Ρ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ рСзистор с сопротивлСниСм 10 МОм Π² стандартной схСмС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилитСля с коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ β€” 100. Достоинство этой схСмы состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния рСзисторов ΠΈ Π½Π΅ создаСт опасности ΠΈΠ·-Π·Π° влияния ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ Смкости, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ всСгда Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с большими рСзисторами. ΠžΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² схСмС идСального прСобразоватСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² напряТСниС (Ρ€Π°Π·Π΄. 4.09) описанный Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ эффСктивного Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния сдвига.

НапримСр, Ссли схСма, показанная Π½Π° рис. 4.49, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° ΠΊ источнику с большим импСдансом (скаТСм, Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ поступаСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ рСзистор ΠΎΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½), Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сдвиг Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² 100 Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Uсдв. Если Π² Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ схСмС Π΅ΡΡ‚ΡŒ рСзистор ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 10 МОм, Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Uсдв (сдвигом, обусловлСнным Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ).

БхСмная компСнсация ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Рассмотрим ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС (рис. 4.48). Π’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° сток-исток ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΡƒΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор находится Π² состоянии Π’Π«ΠšΠ›. Π­Ρ‚Π° ошибка ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π² случаС использования ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈ кондСнсатора с нСбольшой ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ. НапримСр, прСвосходный «элСктромСтричСский» ОУ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° AD549 со Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 0,06 пА (максимум), Π° высококачСствСнный ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅Ρ„Π»ΠΎΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ полистироловый кондСнсатор Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 0,01 ΠΌΠΊΠ€ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ сопротивлСниСм ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 107 МОм (ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ). ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… условиях ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, Π±Π΅Π· ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° схСмы сброса, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΡΡƒΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ прямой Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ 1 пА (для Ρ…ΡƒΠ΄ΡˆΠ΅Π³ΠΎ случая, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал составляСт 10 Π’ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹), Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ измСнСния dU/dt Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ 0,01 ΠΌΠ’/с. Для сравнСния посмотритС, Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Ρ€Π°Π²Π½Π° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ популярного МОП-транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 2N4351 (Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния). ΠŸΡ€ΠΈ Uист_сток = 10 Π’ ΠΈ UΠ·Π°Ρ‚Π²_ист = 0 Π’ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 10 нА. Π˜Π½Ρ‹ΠΌΠΈ словами, ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² 10000 Ρ€Π°Π· большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° всСх ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, взятых вмСстС.

На рис. 4.50 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ интСрСсноС схСмноС Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.



Рис. 4.50.


Оба n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… МОП-транзистора ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ вмСстС, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ транзистор Π’1 ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΈ +15 Π’, ΠΏΡ€ΠΈ этом Π² состоянии Π’Π«ΠšΠ› (напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ) ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° сток-исток) ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ. Π’ состоянии Π’ΠšΠ› кондСнсатор, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅, разряТаСтся, Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ RΠ²ΠΊΠ». Π’ состоянии Π’Π«ΠšΠ› нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ транзистора Π’2 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор R2 стСкаСт Π½Π° зСмлю, создавая ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΡΡƒΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ истоку, стоку ΠΈ, ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ транзистора Π’1 ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ напряТСниС. Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅ эту схСму со схСмой ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 4.40.


4.20. Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹

Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌ, Π² Π½ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ мСстами рСзистор R ΠΈ кондСнсатор Π‘ (рис. 4.51).



Рис. 4.51.


Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½, поэтому ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния с Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ появлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° I = C(dUΠ²Ρ…/dt), Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния UΠ²Ρ… = β€” RC(dUΠ²Ρ…/dt). Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ стабилизированноС смСщСниС, нСприятности ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡ‹ ΠΈ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° высоких частотах, Ρ‡Ρ‚ΠΎ связано с большим усилСниСм ОУ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ сдвигами. Π’ связи с этим слСдуСт ΠΎΡΠ»Π°Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ свойства схСмы Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ максимальной частотС. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ для этого ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 4.52.



Рис. 4.52.


ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ R1 ΠΈ Π‘2, с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… создаСтся спад, Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ уровня ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ полосы пропускания ОУ. На высоких частотах благодаря рСзистору R1 ΠΈ кондСнсатору Π‘2 схСма Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ОУ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ источником питания

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля Π½Π΅ трСбуСтся ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ стабилизированныС источники питания +15 Π’. МоТно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ расщСплСнныС источники Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ нСсиммСтричныС источники (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, +12 Π’ ΠΈ -3 Π’), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСния питания (U+β€”U_), согласно спСцификации ОУ (см. Ρ‚Π°Π±Π». 4.1). Часто подходящими ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ нСстабилизированныС источники напряТСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ благодаря ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи обСспСчиваСтся высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта ослаблСния влияния напряТСния источника питания (для ОУ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 411 Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ являСтся Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ 90 Π΄Π‘). Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ОУ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ +12 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ ОУ, создав «искусствСнноС ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС» ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, Ссли ΠΏΠΎΠ·Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΠ± обСспСчСнии минимально Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΎ питания, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ синфазного напряТСния. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… соврСмСнных ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈ напряТСниС ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ источника (Ρ‚. Π΅. ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ источником питания). Для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ОУ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ источником особСнно Π·Π°ΠΌΠ°Π½Ρ‡ΠΈΠ²Π° благодаря простотС. Однако ΠΈΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСно использованиС расщСплСнных симмСтричных источников питания.


4.21. Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилитСлСй ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ источник питания.

Для ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 411 Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ мСньшС Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° напряТСния питания (ΠΏΠΎ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅) Π½Π° 1,5 Π’. Если Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ U_ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ с источником напряТСния, Π° с Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ΠΉ, Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Π½ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ. Если ΠΆΠ΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС (Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, 0,5U+), Ρ‚ΠΎ с Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ОУ, ΠΈ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ трСбуСтся (рис. 4.53). Π­Ρ‚Π° схСма прСдставляСт собой ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот с усилСниСм 40 Π΄Π‘. ΠžΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС UΠΎΠΏ = 0,5U+ обСспСчиваСт ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 17 Π’ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΈΠΊΠ° Π΄ΠΎ ΠΏΠΈΠΊΠ° (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 6 Π’ эфф.) Π±Π΅Π· срСза Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ½ сигнала. ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ UΠΎΠΏ.



Рис. 4.53.


4.22. ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ усилитСли с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ источником питания.

БущСствуСт Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ класс ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ допускаСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ с ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ источником ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния питания. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ напряТСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ привязанного ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ). Π’ этом классС Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² зависимости ΠΎΡ‚ возмоТностСй Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада: Π² усилитСлях ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ снизу Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ U_, Π² усилитСлях Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° β€” двумя значСниями напряТСния питания:

1. ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LM324 (Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ ОУ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ИБ)/LМ358 (Π΄Π²Π° ОУ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ИБ), LT1013 ΠΈ TLC270. Для этих схСм Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ синфазного сигнала Π½Π° 0,3 Π’ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ U_, Π° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ снизу Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния U_. Как Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° 1,5 Π’ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС U+. Если трСбуСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Π±Ρ‹Π» ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ U+, Ρ‚ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ОУ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LM301/307, ОР-41 ΠΈΠ»ΠΈ 355; ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ использования Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ОУ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π² Ρ€Π°Π·Π΄. 6.24, посвящСнном ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ источников постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ тонкости построСния Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ОУ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС (рис. 4.54).